Modelo EKV

El modelo EKV es un modelo matemático de transistores MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) de efecto campo. Está pensado para simular circuitos electrónicos y para facilitar el diseño de circuitos analógicos.​

Historia

Fue desarrollado en principio por C. C. Enz, F. Krummenacher, y E. A. Vittoz (de aquí el nombre EKV) sobre 1995, tomando como base trabajos previos realizados en la década de 1980 ​ ​ ​ . Al contrario que modelos más simples (como el modelo cuadrático), el modelo EKV es preciso incluso cuando el MOSFET opera en la región subumbral (es decir, si $V_{bulk}=V_{source}$ entonces el MOSFET está en la región subumbral cuando $V_{gate-source}<V_{Threshold}$). Además, el modelo incorpora muchos de los efectos que aparecen en las tecnologías de fabricación submicrónicas. Como ventaja frente a otros modelos como el BSIM, podemos citar su reducido número de parámetros, y que permite cálculos manuales.

Véase también

• Modelos de transistores
• MOSFET
• SPICE
• BSIM

Enlaces externos

• Web Page de Christian Enz
• Web Page de François Krummenacher Archivado el 3 de octubre de 2008 en Wayback Machine.
• Sobre Eric Vittoz
• Web Page del Modelo EKV en la EPFL
• ORIGINS OF THE EKV MODEL; EKV Users' Meeting/Workshop; November 4-5, 2004; EPFL in Lausanne
• Swiss Origins of Very Low-Power Integrated Circuits (1962-1982) Gala Special Talk, ESSDERC-ESSCIRC'06, Montreux, Switzerland

• Datos: Q2593342